Trend Sel Surya Perovskite

HTL berperan dalam mengalirkan hole yang dihasilkan oleh perovskite menuju elektroda positif (anoda). Selain itu, HTL juga berfungsi mencegah elektron mencapai elektroda positif, sehingga mengurangi kemungkinan rekombinasi dengan hole. Material HTL yang sering digunakan antara lain Spiro-OMeTAD, PEDOT, dan CuSCN.

Elektroda belakang (katoda)

Lapisan ini berperan sebagai katoda yang mengumpulkan elektron atau hole yang dihasilkan oleh lapisan perovskite, kemudian menghantarkannya keluar dari sel surya untuk menghasilkan listrik. Material yang biasa digunakan sebagai katoda adalah logam konduktif seperti perak (Ag) dan emas (Au).

Mekanisme Proses Annealing pada Lapisan Perovskite

        Proses annealing pada lapisan perovskite adalah langkah penting dalam pembuatan sel surya berbasis perovskite. Proses ini memiliki fungsi untuk meningkatkan kualitas kristal, menghilangkan sisa pelarut, dan memperbaiki struktur material. Annealing biasanya dilakukan dengan memanaskan lapisan perovskite pada suhu tertentu setelah diaplikasikan pada substrat. Untuk memahami kristalisasi film perovskite selama proses ini, kita bisa menggunakan mekanisme LaMer, yang menjelaskan pembentukan partikel atau kristal dalam tiga tahap utama (Anhar Wardana, F., 2022).  

Tahap Supersaturasi

1. Supersaturasi adalah kondisi penting yang memicu proses nukleasi. Tahap ini berfungsi sebagai kunci dalam pertumbuhan kristak perovskite. Berikut adalah tahap proses supersaturasi:

-  Proses Penguapan Prekursor: Pada tahap awal, prekursor perovskite (misalnya PbI dan CHNHI) dilarutkan dan diendapkan ke substrat dengan Teknik spin coating. Teknik spin coating adalah metode yang sering digunakan untuk menerapkan lapisan tipis bahan cair secara merata di atas permukaan substrat.

- Mencapai Titik Supersaturasi : Dengan adanya pemanasan, pelarut mulai menguap, menyebabkan konsentrasi prekursor (bahan pembentuk kristal) dalam lapisan semakin meningkat. Hingga pada suatu titik, konsentrasi prekursor mencapai titik supersaturasi (keadaan di mana konsentrasi prekursor melebihi batas kelarutan). Pada kondisi ini, prekursor dalam lapisan tidak stabil, dan siap membentuk inti kristal.

2. Tahap Nukleasi Cepat

    Tahap kunci di mana inti kristal mulai terbentuk setelah kondisi supersaturasi tercapai. Berikut ini adalah tahap nukleasi cepat: