AS Menginginkan Tiongkok tersingkir dari persaingan Chip 1nm dengan memblokir memperoleh Lithografi High-NA tingkat tinggi ASML yang dapat memproduksi chip 1 nm.
Meurut pengamat perkembangan semikonduktor, TSMC Taiwan kemungkinan akan menjadi perusahaan pembuat chip kedua setelah Intel yang menerima alat litografi tercanggih di industri semikonduktor seiring dengan semakin maraknya persaingan menuju chip 1nm (nanometer).
Menurut laporan Nikkei Asia, pabrik pengecoran sirkuit terpadu (IC) terkemuka di dunia akan memasang sistem litografi ultraviolet ekstrem (EUV) NA tingkat tinggi baru milik ASML di pusat R&D-nya di Hsinchu, Taiwan, pada akhir tahun ini.
Hal itu akan terjadi sekitar tiga bulan lebih lambat dari yang diperkirakan sumber industri pada awalnya, tetapi tidak jauh lebih lambat dari Intel Amerika, yang memasang sistem litografi NA tingkat tinggi pertamanya di pusat R&D di Oregon pada April lalu dan yang kedua pada bulan Agustus.
Samsung Electronics dilaporkan akan mengakuisisi sistem EUV-NA tingkat tinggi pertamanya pada awal tahun 2025. ASML Belanda memiliki monopoli atas sistem litografi EUV yang digunakan TSMC untuk membuat IC pada node proses 7nm dan yang lebih kecil.
Sistem litografi NA tingkat tinggi (High-NA Lithgraphy), yang juga dikenal sebagai sistem EXE, juga menggunakan cahaya EUV tetapi menggunakan sistem optik baru yang meningkatkan aperture numerik (NA) dari 0,33 menjadi 0,55. Itu mengurangi dimensi kritis, atau fitur terkecil yang dapat dicetak sistem, sebanyak 1,7 kali dan meningkatkan kepadatan transistor pada chip sebanyak 2,9 kali.
Apertur numerik adalah "ukuran kemampuan sistem optik untuk mengumpulkan dan memfokuskan cahaya," menurut pernyataan ASML: "NA* yang lebih tinggi memberikan kinerja yang lebih baik pada sistem tersebut."
*NA/Aperture Numerik adalah angka terpenting yang dikaitkan dengan kemampuan mengumpulkan cahaya dari lensa objektif atau kondensor. Angka ini terkait langsung dengan sudut kerucut yang terbentuk antara titik pada spesimen dan lensa depan lensa objektif atau kondensor, yang ditentukan oleh persamaan NA = n sin .*
Menurut laporan, TSMC bermaksud untuk mulai menggunakan litografi NA tingkat tinggi pada simpul 1,4 nm (14A, A untuk angstrom) pada tahun 2028 atau setelahnya, atau pada 1 nm (10A) pada tahun 2030 atau setelahnya. Proses 2 nm yang rencananya akan diperkenalkan pada akhir tahun 2025 akan menggunakan sistem litografi EUV yang tersedia saat ini.
Itu mungkin lebih baik karena pekerjaan pengembangan dan evaluasi yang dibutuhkan untuk menggunakan EUV NA tingkat tinggi secara efisien dalam produksi komersial akan memakan waktu lama.
