Mengungkapkan Potensi Tersembunyi ZnO Tanpa Doping untuk Aplikasi Spintronik

Beberapa tahun terakhir teknologi spintronik berkembang dengan sangat pesat. Spintronik bekerja dengan cara memanfaatkan spin elektron untuk penyimpanan dan pemrosesan informasi dengan kecepatan tinggi.

Salah satu tantangan utama dalam bidang ini adalah pengembangan material magnetik yang efektif dan kompatibel dengan teknologi semikonduktor yang ada. ZnO, yang dikenal sebagai material semikonduktor wide band-gap, telah lama diteliti karena sifat elektroniknya yang unggul, namun potensi magnetiknya tetap menjadi area eksplorasi.

Penelitian terbaru ini, yang dibimbing oleh Dr. Robi Kurniawan, M.Si dengan tim yang beranggotakan Aisiyah, Arya Alamsyah Setyawan, dan Lia Fibriyanti memfokuskan pada sintesis dan modifikasi permukaan lapisan tipis ZnO dengan plasma argon. Metode ini dirancang untuk mengoptimalkan sifat magnetik ZnO tanpa doping.

Lapisan tipis ZnO dikembangkan di atas substrat Si menggunakan teknik sputtering dengan plasma Ar. Proses ini melibatkan pengendalian parameter sputtering, termasuk tekanan plasma dan suhu substrat, untuk mencapai struktur lapisan yang diinginkan. Penelitian ini menyoroti bagaimana variasi dalam kondisi sputtering dapat mempengaruhi morfologi permukaan dan sifat magnetik lapisan ZnO yang dihasilkan.

Set Alat Sputtering | dok pribadi 

Tim peneliti yang diketuai oleh Aisyah, dengan anggota Arya Alamsyah dan Lia Fibriyanti, di bawah bimbingan Dr. Robi Kurniawan, M.Si telah berhasil menyelesaikan penelitian mengenai sintesis dan karakterisasi lapisan tipis ZnO pada substrat Si menggunakan teknik sputtering plasma Ar. Penelitian ini didukung oleh dana internal Universitas Negeri Malang tahun 2024.